結(jié)晶薄膜太陽(yáng)能電池的發(fā)展
發(fā)布時(shí)間:2012-10-09
對(duì)薄膜太陽(yáng)能電池的研究主要開始于20世紀(jì)80年代。大部分都采用硅作為最基本的材料,也就是說(shuō)將多層的不同導(dǎo)電類型的多晶硅薄膜或非晶硅薄膜沉積起來(lái),以達(dá)到增加太陽(yáng)能光電轉(zhuǎn)化效率的效果,其光電轉(zhuǎn)換效率一般穩(wěn)定在11—13。薄膜型太陽(yáng)電池技術(shù)具有可吸收散射光、可撓性與可制作大面積太陽(yáng)電池等特性,特別是與結(jié)晶硅型太陽(yáng)電池相比,其所消耗的材料成本更為經(jīng)濟(jì),因此備受產(chǎn)業(yè)界人士看好。短期而言,在上游硅材料短缺仍難緩解的情況下,薄膜型太陽(yáng)電池將成為太陽(yáng)電池市場(chǎng)的另一個(gè)最佳選擇。由于薄膜型太陽(yáng)電池的主動(dòng)面積(Active Area,包括半導(dǎo)體層及接觸層)厚度約只有1—10μm,不像傳統(tǒng)厚膜型的厚度約為100—300μm,且需要使用大量、價(jià)格昂貴的半導(dǎo)體材料,因此相比之下可省下許多材料成本。另外,其基材選擇性多樣包括玻璃、塑料或金屬薄片等,模塊封裝也較容易,且可做成半透光型,因而能吸收漫射光源并可大面積制造,非常適合做成與建筑物整合的太陽(yáng)光電板(Building Integrated Photovoltaic,BIPV)。