半導體被稱為國家的“產(chǎn)業(yè)大米”，是所有電子產(chǎn)品生產(chǎn)都不可缺少的原材料之一，不論是民用的電子產(chǎn)品還是高精尖的軍用武器，其性能完全依賴于半導體產(chǎn)品的質(zhì)量。目前市場產(chǎn)業(yè)鏈為IC設計（芯片設計）、IC制造（前道工序的晶圓加工）和IC封測（后道工序封裝和測試）。而晶圓作為半導體行業(yè)的最重要的一環(huán)，更是國家大力扶持的項目之一。接下來為您介紹晶圓制程中保護膜的應用。

一． 研磨（Back Grinding）用保護膜
   根據(jù)晶圓尺寸要求或散熱要求，有時需將晶圓背面研磨減薄至可接受的厚度，因此研磨制程也可稱為“背研”或“減薄”，而研磨過程中需保證碎屑和研磨液不對晶圓造成污染，因此研磨前需在晶圓正面即線路面貼附保護膜（BG Tape）。
   晶圓中錫球的高度越高，研磨時越容易分散以導致晶圓破損或產(chǎn)生波紋，因此需賦予保護膜較好的應力緩和性及延伸性，因此對于高錫球和超薄晶圓的研磨，PO基材的保護膜更為適用。
  晶圓用保護膜一般有普通藍膜和UV固化減粘膜。UV膜的優(yōu)勢在于研磨后照射UV光使其粘性降低，可在低應力情況下進行剝離作業(yè)。高清潔性可保證研磨過程中微觀粒子的轉(zhuǎn)移非常少，研磨過程后不需要額外的清洗過程。
二． 切割（Dicing）用保護膜
晶圓切割（即劃片）將晶圓上的每一顆晶粒（Die）加以切割分離，先要將晶圓（Wafer）的背面貼上一層保護膜（Wafer Mount），之后再將其送至晶圓切割機加以切割。切割完后，一顆顆的晶粒會井然有序的排列黏貼在膠帶上，同時由于框架的支撐可避免晶粒因膠帶皺褶而產(chǎn)生碰撞。
與研磨用保護膜類似，切割用保護膜也分為非UV的藍膜及UV減粘膜，藍膜成本較低，且適用于大芯片和較厚類型的晶圓；UV膜成本較高但效率較高，尤其適用于小尺寸和超薄類型的晶圓。
針對晶圓工藝，UV保護膜需滿足如下要求：
1.膠帶具強力的黏著力以固定晶圓，即使是小芯片也不會發(fā)生位移或剝除的問題。
2.用紫外線照射降低黏著力，即使是大芯片也能輕松地正確撿拾起芯片。
3.確保膠黏劑不對IC產(chǎn)生污染